3μm巨量转移获突破!Micro LED量产之路再进一步

By | 2020年7月25日

  Mikro Mesa Technology胜利开发抢先寰球的无压合高温键结3μm Micro LED巨量转移技巧,让Micro
LED显示技巧量产之路又往前推动了一年夜步。

  Mikro Mesa 2017年开端与南京中电熊猫协作,正在中电熊猫的试验室,通过两年的开发,实现了此项抢先业界的进步前辈显示器技巧。

  Mikro
Mesa的技巧应用了直径3μm的μLED芯片,为抢先业界的超巨大尺寸,让磊晶片的行使率达到极致的高水准。转移尺寸靠近4吋,一次可包容高达数百万颗以上的μLED转移,并可进行屡次多色μLED的转移。而年夜尺寸的转移面积,可年夜幅缩小转移次数,并添加了年夜尺寸全黑白显示器的量产性。

  除了此以外,Mikro Mesa的技巧还具有了高温免压键合特性,确保了将来高消费效率,同时也能够防止今朝业界加压键合所带来的良率成绩,为Micro
LED进步前辈显示器制作技巧的过程树立了首要里程碑。直径3μm的μLED芯片,巨细约为人类头发截面积的1/700。

  该芯片的巨细,较今朝业界普通常见的Micro LED面积更是小了100倍以上,成为寰球第一的创举。据理解,这也是显示器业界首度展现的超越3吋并应用
5μm如下芯片尺寸的μLED显示技巧。

  据Mikro
Mesa外部职员示意,该显示技巧可以转移2~5μm巨细的芯片,能够制作出高达1,800dpi等级的高精细度显示器,并可使用正在55吋或以上Micro
LED电视。换言之,正在产物使用上,该技巧将从穿戴式安装、智能手机、电视不断到AR产物,均具备独到的竞争劣势。

  另外,因为制程温度较低的缘故,该技巧更是制作柔性及通明显示器的首选。预期该技巧的将来功能与竞争力将远远超越AMOLED,正在使用畛域上也会愈加广阔,年夜年夜晋升了Micro
LED的将来倒退性。

  该技巧采纳了Mikro
Mesa的专利制程,芯片采纳垂直构造,电飘泊布比传统Flip-chip覆晶式平均,同时也能接受更高的电流密度。而芯片与下电极衔接后,采纳一次性整面封装,上电极可以使用ITO或是奈米银线等,关于将来年夜量消费和改善光学出光效率等方面,都留有极年夜的设计弹性。

  别的,由于芯片尺寸巨大的缘故,该技巧也能达到50%以上的通明度,正在达到高解析度的同时,也能做到高穿透率的通明显示器,年夜幅添加将来使用的可倒退性。

  Mikro Mesa Technology由陈立宜博士于2014年景立,该公司努力于Micro
LED的钻研与量产技巧开发,今朝已领有36项美国专利、14项台湾及年夜陆专利,至于寰球请求中的专利更是超越100项以上。

  Mikro Mesa Technology兴办人陈立宜示意,该显示技巧是Micro
LED通往生产型产物使用之路的一年夜打破,因为芯片尺寸变小,因而Micro
LED的资料老本将年夜幅升高,岂但可以与AMOLED比较,乃至无机会能够与LCD竞争。至于将来正在软性显示器和通明显示器的使用上,可以倒退的空间会更年夜,将可年夜幅缩短Micro
LED技巧相干产物上市的工夫点。

  陈立宜示意,Mikro Mesa Technology是一家开放的公司,欢送寰球关于Mikro
Mesa显示技巧有兴味的厂家一同来协作,不论是关于新型显示器有需要的公司,或是显示器业界的上中上游。各人一同独特开发推行Micro LED显示技巧,让Micro
LED能成为新一代反动性的生产电子显示界面。

编纂:严志祥

起源:时报资讯